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    台积电16nm FinFET工艺跳票了

    来源:存储网 2015-01-20 12:59业界资讯

    近来关于台积电16nm FinFET工艺进展不顺的风言风语很多,比如说设备安装推迟到下半年,大规模量产可能得等明年了,迫使高通、苹果两大客户纷纷投靠三星14nm FinFET。

    在昨日的投资者大会上,台积电董事长张忠谋也承认,2015年的FinFET技术市场上,台积电将会输给三星,但在2017-2018年,台积电将会实现反超。

    他同时披露说,已经有50多名客户利用台积电16nm FinFET工艺完成了新品流片工作,大多数会在2015年第三季度投入量产,新工艺也将在第四季度贡献5-10%的收入。

     

    这就等于承认,此前说的2015年中量产已经不可能,而从收入比例上看,所谓的第三季度量产也仅仅是个开始,真正成熟最快也得今年底,和此前的推测基本相符。

    台积电甚至说已经有一位客户开始使用其16nm FinFET工艺生产芯片了,但具体是谁不肯说,而大多数客户都选择等待更好的16nm FinFET+。

    至于高通、苹果的“叛变”,台积电自然不肯评论了。

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