手机将采用PCM作为一个在MCP封装中的NOR闪存记忆体的替代，这多亏了美光(Micron)在2012年提供了可用的1GB芯片。预计到2015年，更高密度的芯片可以入驻正在迅速取代入门级手机的智能手机应用。STTMRAM有望凭借更低的低功耗和更好的扩展性，在SoC应用中取代SRAM。

智能卡片MCU(微控制器)将有可能采用MRAM/STTMRAM和PCM替代嵌入式闪存。事实上，在未来闪存记忆器单元尺寸的缩小是有限的。NVM可能减小50%的单元尺寸，这样就更具有成本竞争力。类似提高安全性、低耗电量和高耐久度等功能，也是NVM吸引人的特性。

在2017年到2018年，由NAND闪存供应的大容量存储市场可能开始使用3D RRAM。所有主要芯片存储商预测，那时3D NAND会放慢他的扩展速度。在发生这种情况时，一个巨大的RRAM上升期待在未来十年内开始，万一3D RRAM达到足够的成本竞争力和芯片密度，它将取代NAND。

Yole Developpement预测，全球新兴的非易失性存储器市场会从2012年的2.09亿美元，上升到2018年的20亿美元——超过46%的可观年复合增长率。

“到2018年，MRAM/STTMRAM和PCM将成为NVM市场上的前两名。加在一起看，它们代表了在2018年16亿美元的业务，每两年推出的双倍密度的芯片，会使它们的销售几乎每年翻一番。”Yole Developpement的高级技术和市场分析师Yann de Charentenay解释道。

记忆器供应链在去年的十年里高度集中，支撑着一个巨大的每GB价格下降(NAND和DRAM每年-20%到40%)。前五名的记忆器公司是：三星、美光、SK海力士、东芝和SanDisk，他们控制了90%的DRAM和NAND销售市场，预计对新兴的NVM市场竞争格局起到关键作用。