SMART表示，原始的消费级2-bit MLC NAND可以在五年内每天做不到一个完整的驱动器容量写入。让我们计算一下;一个驱动器每天一遍写五年是1,780编程/擦除(P/E)周期。50倍驱动器容量写入五年是89,000次P/E周期，好得赶上了单级单元(SLC)闪存。作为SMART营销策略的一部分，你可以用他们便宜的延长寿命MLC闪存驱动器代替昂贵的SLC闪存驱动器。

其Guardian Technology(卫士技术)平台采用了一些数字信号处理技术来获得这种扩展的耐久度。

让我们的推断这里的想法，并考虑SMART可以在寿命较短的3-bit闪存(TLC)上做些什么。这不是一个线性外推，因此我们对原始TLC使用35倍的耐久度改善而不是50倍，并得到对应3Xnm(39-30nm)工艺技术TLC的35 x 1,250 = 43,750 P/E cycles和对应原始2Xnm(29nm-20nm)工艺TLC的35 x 750 = 26,250。这相当于五年每天分别为大约25和15个完整的驱动器写入，根本不差。

希捷购买的DensBits正在开发一种TLC闪存控制器，可以运行于10,000次的P/E cycles;不到我们计算的SMART应用到2Xnm TLC技术的一半。也许我们推断一个35倍的改善仅仅是脱离基础的方法。我们询问SMART他们对此是怎么认为的。

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