在2020年末NAND闪存可能引领企业级固态存储的蓬勃发展，不过这种技术潜在的对手已经出现，并开始获得业内关注。这些技术包括相变内存(PCM)、磁阻随机存取内存(MRAM)和电阻式随机存取内存(RRAM)。

在过去的数年中，这些新兴的内存技术发展迅速，在性能和产品使用时间方面都远远超过了现有的技术水平。

举例来说，IBM研究所在今年夏天宣布基于热能的PCM在未来的某一天或许可以让系统吞吐数据的速度较现有的NAND闪存提升100倍，并且保持至少10,000,000次的写周期，这较目前企业级多层单元(eMLC)闪存30,000次的写周期是指数级别的改善。

在为期6个月监测PCM材质单元的稳定性后，IBM位于苏黎世的调研实验室宣布其在单个单元中实现了多位数据的可靠存储。Haris Pozidis是IBM在苏黎世研究所中存储和探测技术的负责人，他说多层单元(MLC)的PCM在2016年可以用于企业级服务器和存储系统。他表示这项技术非常适用于“大数据”的分析和云计算等应用。

不过这种预测还基于某种前提。Pozidis表示这一进度还取决于移动电话和内存制造厂商在未来几年中是否将MLC-PCM作为闪存的替代品。

由于IBM并没有内存设备或固态存储驱动器业务，其依赖外部的供应商来为IBM的MLC-PCM提供许可和产品。Pozidis说IBM很期待这一产品的出现，但他同时表示这件事并不是完全确定的。

PCM和“赛道存储”

PCM只是IBM所推崇的内存技术之一。而其位于加利福尼亚的阿尔马登的研究中心正在推动另一项磁道技术，称为“赛道存储”,这种技术将磁性数据块在纳米线所组成的“赛道”上来回运动，进行数据存储。

在IBM网站上发表的一篇题为《图标的发展》的故事中，该公司宣布了赛道存储，以及三维微型集成进电路“有可能会取代几乎所有的存储数据存储方式”.这项技术可以使得移动电话、笔记本和业务级别的服务器存储100倍的数据，并且提供更快速的存取访问速度。

Stuart Parkin是IBM位于阿尔马登研究所自旋电子学组的负责人，其表示这项技术较传统闪存提供了更多的优势，这中间包括永无磨损和写操作限制，并且价格和NAND旗鼓相当。他预言应用这项技术的产品会在5年或7年后出现，这和PCM可能出现的时间段相当。

不过，IBM的Pozidis表示PCM较赛道存储会“更快出现”并“具备更多的优势特征”。

虽然IBM每年在其知识产权上的许可证费用超过10亿美元，并且公司一直致力于各项有前景的存储新技术，但其来自PCM和赛道存储方面的信息仍无法明确哪一项技术将会取代NAND闪存技术。

“我并不完全相信IBM所说的，”安大略省纽约市Forward Insights公司的创始人和首席分析师Greg Wong说，“假如他们的业务是生产这类存储，并且将其商业化，这可能是另一回事。不过他们并没有实际参与到这类项目中。”

PCMS,STT-MRAM和RRAM

大部分参与到这项游戏中的半导体生产商正在探索多项技术，包括PCM,MRAM和RRAM.不过除非这项替代品可以达到NAND这一水平的成本，否则该技术就无法在企业级存储上成为NAND真正的竞争对手，无论其技术有多领先。

“价格最接近的技术价格可能也是NAND的5倍以上，”美光技术公司NAND解决方案事业本部的市场总监Kevin Kilbuck在评论研究可替代技术的公司时提到。

同时，美光致力于多个领域，这中间包括PCM(通过其在2010年收购恒忆半导体)以及自旋注入式磁化反转型MRAM(STT-MRAM)。Kilbuck说某些技术可能会作为NAND闪存的补充。

“这些技术各有优势，”Kilbuck说，“很难讲哪一项会胜出。”

Troy Winslow是英特尔公司非易失性内存解决方案事业本部的产品市场部总监，他通过电子邮件表示英特尔认为堆栈式PCM的变体，称为变相存储开关，为PCM单元层分配一个双向阈值开关，可以在企业级系统中发挥较MRAM更大的潜力。

英特尔和恒忆半导体在2009年宣布其证实了一块64Mb的测试芯片可以在一块晶体盘中堆栈成多层的PCM阵列层，这为存储更大容量，更高性能和扩展性，以及更低能耗的实现进行了铺垫。

不过，Winslow补充道，“NAND仍将企业级解决方案中保持长久的生命力。及时在几年内出现某种新技术，技术迁移也会花费数年。”