NAND尺寸缩小实际上指的是NAND制造中闪存单元制程的缩小。

Intel Micron Flash Technologies(IMFT：英特尔美光闪存技术公司)刚刚发布了一个使用2byte多层单元NAND的128Gb容量20纳米制程闪存单元。该公司表示8个这样的闪存单元可以组合成一个1Tb容量的芯片。

IMFT今年8月第一个推出2byte20纳米制程产品，但是流片的是64Gb产品。现在，它已经调整了制程并将容量和芯片性能都提升了一倍。它的竞争对手在做什么呢?

去年10月，海力士提到了21纳米制程。海力士现在正在被韩国的SK电信所收购。该公司计划在华盛顿举行的国际电子设备会议上提出15纳米NAND技术。IBM刚刚在这个会议上发布了赛道记忆体原型。

海力士目前正在加快64Gb部分的生产，使用29-20纳米制程——它自己称为27纳米制程。也许财务上的问题已经导致它的15纳米制程计划延迟。

我们知道三星的2byteMLC(多层单元)产品是使用27纳米制程。三星在今年第三季度推出20纳米制程芯片。据报道，三星表示将在2012年推出10纳米等级芯片。

SanDisk/东芝在今年第二季度流片的2byte64Gb芯片上拥有19纳米技术，该技术将在今年底以前投入实用。据说3byte版本也将在2011年底以前推出。

据报道，英特尔、三星和东芝协作开发10纳米等级闪存产品技术。

美光的20纳米制程2byte闪存实际上要到明年以后才会出现在美光的SSD固态硬盘(固态驱动器)产品中。到那时，我们也许可能看到SATA和mSATA客户端产品——也许被称为C500——以及SAS企业级产品。初始市场将是智能手机、平板电脑和高端笔记本电脑。该产品的尺寸优势正好适用于这些设备的尺寸限制。

DRAMeXchange对闪存供应商的排名如下：

第一名是三星，拥有37%的市场份额;

第二名是东芝，31.6%;

第三名是IMFT，29.1%;

第四名是海力士，11.8%;

IMFT已经瞄准三星并让行业领导厂商知道它有饥饿的竞争对手。拥有20纳米等级的技术只是能让你保持不掉队而已。未来：第一个20纳米制程以下的产品，然后是10纳米制程以下的产品，然后后NAND时代的技术将浮出水面。NAND就好像一个永不停歇的耗资数十亿美元的游戏。你总是希望你的竞争对手因为卖不出那么多芯片而被市场的离心力抛出去。

没有人在这个游戏中赚得大把钞票。它们也许是疯了。也许它们就是需要NAND尺寸缩小。