IBM公司已经将其FlashSystem 840/V840升级为900/V9000全闪存阵列产品，这套采用MLC闪存芯片的新设备通过与美光方面的紧密协作成功实现了性能表现与可靠性的全面稳定。

我们曾经在之前的文章中使用过V9000这一名称设定，但我们认为应该存在的9000系列产品事实上并不存在。与预期相左，840的升级版本虽然如约而至，但其最终名称却为FlashSystem 900——明显少了一个0。

IBM公司在公告当中着力强调了该产品的控制器方案——其采用FPGA芯片并配备硬盘错误校正、交叉式底板以及MicroLatency闪存模块。

根据蓝色巨人的说法，这款全新产品能够提供“高达四倍的存储容量提升，而所需机架空间低于EMC XtremIO闪存技术”。值得注意的是，IBM方面相当于在该产品的公告当中直接承认了这两款产品之间的竞争关系。

我们通过以下表格列出了840与V840系统的各项已知参数，并将其与即将面世的900及V900系统加以比对。首先来看840与900的对抗结果：

FlashSystem 840与 900比对表格

二者之间的显著差异在于，900的可用存储容量比参考对象高出40%，相当于58TB对抗840的41TB。不过前者的读取延迟略高一点，155微秒对840的135微秒。此外，900的读取带宽则由840的8GB每秒提高到了10GB每秒。

IOPS性能指标采用4K数据块作为标准，900获得了110万读取与60万写入的成绩。

FlashSystem 900

新旧两套系统在性能表现方面几乎可谓旗鼓相当，惟一的差别在于新版本的存储容量明显更高。

在美光公司的帮助下，IBM交出了一份令人印象深刻且大获成功的答卷，即利用MLC NAND芯片取代了原有eMLC闪存——事实上，前者在性能表现与可靠性方面相对较差。

通过将美光的晶片特性微调能力与IBM的工程技术优势相结合，由此诞生的控制器技术使得新系统在性能表现方面继续保持着上代产品的水平，而其可靠性（不过截至目前，我们还没有看到任何具体使用寿命数字）同样保持平稳——存储容量则得到显著提升。

840发布于一年之前，而包含有用于实现数据服务的IBM SVC产品的V840则在之后的2014年8月正式投放市场。

而在840面世的一年之后，我们又迎来了其继任者900; 这样的发展节奏实在令人有些应接不暇。

IBM FlashSystem V9000对阵 V840表

在将V900与前代V840进行比对时，我们发现前者的可用内部存储容量由原先的320TB增加到了456TB，但与此同时其性能指标——包括延迟水平、IOPS以及带宽——则保持不变。

总体而言，新老两套系统在性能表现方面几乎别无二致，惟一的区别在于继任者在存储容量方面迎来显著提升。

在美光公司的帮助下，IBM交出了一份令人印象深刻且大获成功的答卷，即利用MLC NAND芯片取代了原有eMLC闪存——事实上，前者在性能表现与可靠性方面相对较差。

通过将美光的晶片特性微调能力与IBM的工程技术优势相结合，由此诞生的控制器技术使得新系统在性能表现方面继续保持着上代产品的水平，而其可靠性（不过截至目前，我们还没有看到任何具体使用寿命数字）同样保持平稳——存储容量则得到显著提升。

考虑到美光闪存芯片类型的变更以及IBM与美光在工程技术方面所开展的协作，我们也许能够在未来进一步迎来双方共同打造的3D以及TLC NAND芯片。如果美光的软件开发努力能够切实收得成效，那么内存存储方案亦有诞生的希望。

根据我们的理解，此类内存存储闪存将与IBM的主机服务器及其操作系统紧密结合，而且很可能通过扩展将IBM的POWER服务器引入其中——毕竟蓝色巨人已经彻底失去了自己的X86服务器技术。

目前我们还没有得到关于产品定价的任何信息，因此无法向大家提供任何性价比方面的结论。不过如果大家在面对IBM公司或者IBM的渠道销售代表时提到XtremIO，他们肯定愿意给各位朋友打个折扣。